編號	P099061
單位系所	資訊工程學系
技術名稱	深次微米級之半導體元件的製作方法
簡介	本發明提供一種深次微米級之半導體元件的製作方法，包含以下步驟：(a)於一具有複數內部電極之半導體基材上形成一介電層；(b)於該介電層形成複數內連線孔；(c)以原子層沉積法於該介電層上形成一擴散阻礙層以覆蓋該等內連線孔；(d)填充該等內連線孔以形成複數插塞；及(e)於該等插塞上形成一外部電極層
教師名稱	陳柏頴
智慧財產權型式	patent pending
專利証號
可應用範圍/領域	本發明是有關於一種半導體元件的製作方法，特別是指一種深次微米級之半導體元件的製作方法。
特色/優點
推廣及運用價值
參考文件