編號	P099083
單位系所	材料科學與工程學系
技術名稱	具有防金屬離子遷移之隔離層的積體電路製造方法
簡介	本發明提供具有防金屬離子遷移之隔離層的積體電路製造方法，是在以半導體製程製作包括有微電路集合的積體電路半成品，並對應於該半成品開設至少一將微電路集合中用以連接電路細胞與預備電路細胞之連接線路裸露的開窗之後，更將自身玻璃轉換溫度不小於150℃的材料填覆該開窗，而形成對應位於該開窗中的該連接線路埋覆的隔離層，以製得具有防金屬離子遷移之隔離層的積體電路；藉著於開窗中填覆自身玻璃轉換溫度不小於150℃的材料並形成隔離層，可以防止積體電路運作產生熱時，所引發連接線路間的金屬離子遷移而造成元件失效的問題。
教師名稱	鍾卓良
智慧財產權型式	patent pending
專利証號	I 381484
可應用範圍/領域	此專利可是用於所有未來高密度化積體電路元件設計。電子産品趨於多功能的前題下，積體電路元件的接點距離縮小，信號傳送的速度提高，隨之而來的是接線數量的提高、點間配線的長度局部性縮短，這些就需要具有防金屬離子遷移之隔離層的積體電路製造方法來達成目標。 體積小、速度快、頻率高的優勢，是高階平板電腦、智慧型手機、可攜式多媒體播放器及個人數位助理(PDA)的主要零組件。
特色/優點	此專利商品化可能性高。可是用於所有未來高密度化積體電路元件設計。
推廣及運用價值	此專利商品化可能性高。可是用於所有未來高密度化積體電路元件設計。
參考文件