編號	P100065
單位系所	電子工程學系
技術名稱	垂直式電晶體的驅動方法
簡介	一種垂直式電晶體的驅動方法，適用於一具有一主動單元的垂直式電晶體，該主動單元包含一主動層，及分別形成於該主動層相反兩側的一第一屏障層與一第二屏障層。將一組方波直流電輸入該電晶體內，由於能量撞擊到該第一屏障層會驅使該主動單元產生物質震盪，藉此將輸入的直流電轉換成交流電。再藉由該調整步驟調整輸入於該電晶體之閘極層的控制訊號大小，以改變由該電晶體之汲極層輸出的交流電模態，輸出模態可區分為不隨時間改變的第一模態、隨時間遞增的第二模態，以及隨著時間遞減的第三模態，如此能大幅度提昇垂直式電晶體的應用範圍。
教師名稱	萬裕民
智慧財產權型式	發明專利
專利証號	US8164133B2
可應用範圍/領域	本發明垂直式電晶體的驅動方法於實際使用時，不只能藉由物質震盪將直流電轉換為交流電，更能藉由改變該控制訊號的大小而取得不同模態的交流電輸出，如此可以大幅提昇其適用性，並避免額外使用數位類比轉換器所產生的成本，確實能達成本發明之目的。
特色/優點	本專利技術將電子撞擊物質產生的震盪轉變為交流電。當電流通過一具有一定厚度的半導體材料時，部分的電子無法順利穿過該半導體材料，而直接撞擊該半導體材料的表面並形成動能，使該半導體材料產生微弱的形變。因此，能量損耗主要會轉變成熱量，其中一部分會造成物質震盪。這種技術是獨一無二的。
推廣及運用價值	此技術目前已發展的非常成熟，在所有測試過的元件中(>1000)，良率高達90%以上，且具有一般半導體元件製造的整合性。毫無遺問，將此技技術將對國內半導體廠有所助益，特別是晶圓代工與系統整合公司；因為擁有這項技術將會提升廠商的競爭力，同時也增加一項專利利器，可說是一舉數得。
參考文件