編號	P101020
單位系所	化學工程學系
技術名稱	具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法
簡介	本發明提供一種具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法，包含：(A)配製一奈米沸石晶體懸浮液，其包括多數個奈米沸石晶體及乙醇，每一個奈米沸石晶體含有多數個孔洞及多數個位於該等孔洞內的模板分子；(B)對一基材加熱；(C)將該奈米沸石晶體懸浮液予以霧化，形成多數個含有奈米沸石晶體之霧化液滴；(D)利用一惰性氣體，將該等霧化液滴帶入一電漿中進行電漿反應；及(E)使該等經電漿處理之奈米沸石晶體沉積於該步驟(B)之經加熱基材上，以去除該等奈米沸石晶體之模板分子，並製得一適用於半導體產業且具有低介電常數之奈米沸石薄膜。
教師名稱	林炯芳
智慧財產權型式	發明專利
專利証號
可應用範圍/領域	本發明是有關於一種沸石薄膜的製備方法，特別是指一種具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法。
特色/優點
推廣及運用價值
參考文件